Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > IRFBF20PBF Datasheet 文档
IRFBF20PBF
来自 AiPCBA

IRFBF20PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220
描述:VISHAY  IRFBF20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRFBF20PBF 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFBF20PBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFBF20PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
针脚数3 Position
漏源极电阻8 Ω
极性N-Channel
功耗54 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)1.70 A
上升时间21 ns
输入电容值(Ciss)490pF @25V(Vds)
下降时间32 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)54 W
查看数据手册 >

IRFBF20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IRFBF20PBF 数据手册

IRFBF20PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.96 MByte
IRFBF20PBF 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 1.09 MByte
IRFBF20PBF 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
3 页 / 0.14 MByte

IRFBF20 数据手册

IRFBF20 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRFBF20 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBF20 数据手册
Vishay Siliconix
IRFBF20 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBF20 数据手册
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 900V ， RDS（ON） = 8.0ohm ，ID = 1.7A ） Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)
IRFBF20SPBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBF20PBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBF20STRLPBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBF20LPBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFBF20PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  IRFBF20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet