| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 54 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.70 A |
| 输入电容值(Ciss) | 490pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 54 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 54 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
9 页 / 1.11 MByte
VISHAY（威世）
6 页 / 0.16 MByte
VISHAY（威世）
3 页 / 0.24 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 900V ， RDS（ON） = 8.0ohm ，ID = 1.7A ） Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFBF20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
