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IRFBF30PBF
来自 AiPCBA

IRFBF30PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220
描述:VISHAY  IRFBF30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
PDF文件:IRFBF30PBF 数据手册 (8 页)
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IRFBF30PBF 数据手册 (8 页)
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IRFBF30PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
额定功率125 W
针脚数3 Position
漏源极电阻3.7 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)3.60 A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)1200pF @25V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125 W
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IRFBF30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFBF30PBF 数据手册

IRFBF30PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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