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IRFBG20PBF
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IRFBG20PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220
描述:N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:IRFBG20PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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IRFBG20PBF 数据手册 (9 页)
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IRFBG20PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.00 kV
额定电流1.40 A
封装TO-220
额定功率54 W
针脚数3 Position
漏源极电阻11.5 Ω
极性N-Channel
功耗50 W
阈值电压4 V
输入电容500pF @25V
漏源极电压(Vds)1 kV
漏源击穿电压1000 V
连续漏极电流(Ids)1.40 A
上升时间17.0 ns
输入电容值(Ciss)500pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)54 W
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IRFBG20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFBG20PBF 数据手册

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