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IRFBG30
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IRFBG30 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:IRFBG30 数据手册 (8 页)
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IRFBG30 数据手册 (8 页)
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IRFBG30 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.00 kV
额定电流3.10 A
封装TO-220-3
漏源极电阻5.00 Ω
极性N-Channel
功耗125W (Tc)
漏源极电压(Vds)1000 V
漏源击穿电压1.00kV (min)
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)3.10 A
上升时间25.0 ns
输入电容值(Ciss)980pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)125W (Tc)
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IRFBG30 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRFBG30 数据手册

IRFBG30 数据手册
Vishay Siliconix
8 页 / 0.36 MByte
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Vishay Siliconix
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