| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 125 W |
| 漏源极电压(Vds) | 1000 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 980pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 下降时间 | 29 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 1000 V 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
Vishay Siliconix
9 页 / 1.59 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 1.6 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.13 MByte
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 1000V ， RDS（ON） = 5.0ohm ，ID = 3.1A ） Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
