| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 1.00 kV |
| 额定电流 | 3.10 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 125 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 1000 V |
| 漏源击穿电压 | 1.00 kV |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.10 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 980pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
9 页 / 1.59 MByte
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 1000V ， RDS（ON） = 5.0ohm ，ID = 3.1A ） Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
Vishay Semiconductor（威世）
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