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IRFD014PBF
来自 AiPCBA

IRFD014PBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:DIP-4
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFD014PBF 数据手册 (8 页)
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焊盘图
引脚图
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IRFD014PBF 数据手册 (8 页)
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IRFD014PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数4 Pin
封装DIP-4
额定功率1.3 W
针脚数4 Position
漏源极电阻200 mΩ
极性N-Channel
功耗1.3 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)1.70 A
上升时间50 ns
输入电容值(Ciss)310pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.3 W
下降时间19 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.3 W
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IRFD014PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度5 mm
宽度6.29 mm
高度3.37 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量2500
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IRFD014PBF 数据手册

IRFD014PBF 数据手册
VISHAY（威世）
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