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IRFD024
来自 AiPCBA

IRFD024 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:DIP
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFD024 数据手册 (10 页)
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IRFD024 数据手册 (10 页)
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IRFD024 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数4 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流2.50 A
封装DIP
极性N-Channel
功耗1.30 W
漏源极电压(Vds)60.0 V
漏源击穿电压60.0V (min)
连续漏极电流(Ids)2.50 A
上升时间58 ns
下降时间42 ns
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IRFD024 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IRFD024 数据手册

IRFD024 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 1.24 MByte
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Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 1.23 MByte
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