| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | DIP-4 |
| 功耗 | 1.3W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 输入电容值(Ciss) | 640pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 耗散功率(Max) | 1.3W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 60 V 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.10ohm ，ID = 2.5A ） Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFD024PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
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