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IRFD123PBF
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IRFD123PBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:DIP-4
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFD123PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
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IRFD123PBF 数据手册 (9 页)
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IRFD123PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数4 Pin
封装DIP-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.27 Ω
极性N-Channel
功耗1.3 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)1.30 A
上升时间17 ns
下降时间8.9 ns
工作温度(Max)175 ℃
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IRFD123PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃
最小包装数量2500
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IRFD123PBF 数据手册

IRFD123PBF 数据手册
VISHAY（威世）
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