IRFD1Z3 数据手册 - Harris

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IRFD1Z3 技术参数、封装参数

类型	描述
封装	DIP-4,Hexdip

类型	描述
产品生命周期	Obsolete

VISHAY（威世）

N沟道,100V,1.3A,270mΩ@10V

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFD110PBF... 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFD120PBF 场效应管, MOSFET, N沟道

Vishay Siliconix

Vishay Siliconix

Vishay Siliconix

International Rectifier（国际整流器）

100V,1A,N沟道功率MOSFET

International Rectifier（国际整流器）

100V,0.54Ω,1A,N沟道功率MOSFET

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