| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | DIP-4 |
| 功耗 | 1W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 输入电容值(Ciss) | 140pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
Vishay Siliconix
9 页 / 1.66 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte
Intersil（英特矽尔）
0.6A ， 200V ， 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 0.6A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFD210PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
