类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 600 mA |
封装 | DIP-4 |
额定功率 | 1 W |
针脚数 | 4 Position |
漏源极电阻 | 1.5 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
漏源击穿电压 | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 600 mA |
上升时间 | 17 ns |
输入电容值(Ciss) | 140pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1 W |
下降时间 | 8.9 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 5 mm |
宽度 | 6.29 mm |
高度 | 3.37 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2500 |
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
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Intersil(英特矽尔)
0.6A , 200V , 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 0.6A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFD210PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
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