| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 800 mA |
| 封装 | DIP-4 |
| 额定功率 | 1 W |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 800 mA |
| 上升时间 | 22 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 260pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2500 |
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
0.8A ， 200V ， 0.800 Ohm的N通道功率MOSFET 0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFD220PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
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