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IRFD9014
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IRFD9014 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:P沟道MOS管
封装:HVMDIP-4
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFD9014 数据手册 (10 页)
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IRFD9014 数据手册 (10 页)
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IRFD9014 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数4 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-1.10 A
封装HVMDIP-4
通道数1 Channel
漏源极电阻500 mΩ (max)
极性P-Channel
功耗1.30 W
漏源极电压(Vds)60.0 V
漏源击穿电压-60.0 V
连续漏极电流(Ids)-1.10 A
上升时间63.0 ns
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IRFD9014 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
宽度6.29 mm
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IRFD9014 数据手册

IRFD9014 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 1.71 MByte
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Vishay Semiconductor（威世）
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