类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | DIP-4 |
功耗 | 1.3W (Ta) |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
输入电容值(Ciss) | 270pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.3 W |
耗散功率(Max) | 1.3W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 P 通道 1.1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
Vishay Siliconix
9 页 / 1.71 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 1.7 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.13 MByte
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.50ohm ,ID = -1.1A ) Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFD9014PBF 场效应管, MOSFET, P沟道
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件