| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | DIP-4 |
| 额定功率 | 1.3 W |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.5 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.3 W |
| 输入电容 | 270 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -1.10 A |
| 上升时间 | 63 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 270pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 下降时间 | 31 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 6.29 mm |
| 高度 | 3.37 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2500 |
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.50ohm ，ID = -1.1A ） Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFD9014PBF 场效应管, MOSFET, P沟道
International Rectifier（国际整流器）
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