| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -1.60 A |
| 封装 | HVMDIP-4 |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.30 W |
| 漏源击穿电压 | -60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -1.60 A |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.28ohm ，ID = -1.6A ） Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-1.6A)
VISHAY（威世）
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFD9024PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier（国际整流器）
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