类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | -100 V |
额定电流 | -1.00 A |
封装 | DIP-4 |
针脚数 | 4 Position |
漏源极电阻 | 0.6 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 1.3 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | -100 V |
连续漏极电流(Ids) | -1.00 A |
上升时间 | 29 ns |
反向恢复时间 | 98 ns |
正向电压(Max) | 6.3 V |
输入电容值(Ciss) | 390pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.3 W |
下降时间 | 25 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温 | -55℃ ~ 175℃ |
耗散功率(Max) | 1.3 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 5 mm |
宽度 | 6.29 mm |
高度 | 3.37 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2500 |
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
9 页 / 1.98 MByte
VISHAY(威世)
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International Rectifier(国际整流器)
Intersil(英特矽尔)
1.0A , 100V , 0.6欧姆,P沟道功率MOSFET 1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFD9120PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier(国际整流器)
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