Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IRFH5250DTR2PBF Datasheet 文档
IRFH5250DTR2PBF
来自 AiPCBA

IRFH5250DTR2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:VQFN-8
描述:INFINEON  IRFH5250DTR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 1.4 mohm, 10 V, 1.8 V
PDF文件:IRFH5250DTR2PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFH5250DTR2PBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFH5250DTR2PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VQFN-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0014 Ω
极性N-CH
功耗250 W
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)25 V
漏源击穿电压25 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间72 ns
输入电容值(Ciss)6115pF @13V(Vds)
下降时间24 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.6W (Ta), 156W (Tc)
查看数据手册 >

IRFH5250DTR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6 mm
宽度5 mm
高度0.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IRFH5250DTR2PBF 数据手册

IRFH5250DTR2PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.28 MByte
IRFH5250DTR2PBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IRFH5250DTR2PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.1 MByte
IRFH5250DTR2PBF 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
4 页 / 0.07 MByte

IRFH5250DTR2 数据手册

IRFH5250DTR2PBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRFH5250DTR2PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IRFH5250DTR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 1.4 mohm, 10 V, 1.8 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet