类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | PowerVDFN-8 |
额定功率 | 3.6 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.00155 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 110 W |
零部件系列 | IRFH5301 |
阈值电压 | 1.8 V |
输入电容 | 5114 pF |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 35.0 A, 100 A |
上升时间 | 78 ns |
输入电容值(Ciss) | 5114pF @15V(Vds) |
下降时间 | 23 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 110 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6 mm |
宽度 | 5 mm |
高度 | 0.85 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,30V,Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
25 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFH5301TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 V 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFH5301TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 V
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件