| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | QFN-8 |
| 额定功率 | 3.6 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 2.1 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 100 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 输入电容 | 4400 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 32A |
| 上升时间 | 51 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4400pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.6 W |
| 下降时间 | 18 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.6W (Ta), 100W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 0.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 32A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），100W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.23 MByte
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MOSFET 30 V FETky（单片式FET及肖特基二极管） 100 A 2.5 mOhm 26 nC Qg PQFN
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFH5302TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.8 V
International Rectifier（国际整流器）
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N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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