| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | QFN-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0026 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 156 W |
| 阈值电压 | 3.7 V |
| 输入电容 | 6460 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 23A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6460pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 23 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 156W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.15 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 0.85 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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INFINEON IRFH7085TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3.7 V
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