| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 封装 | PQFN-8 |
| 额定功率 | 104 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 5 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0018 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 104 W |
| 阈值电压 | 2.2 V |
| 输入电容 | 4574 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 159A |
| 上升时间 | 45 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4574pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 42 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 104W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 0.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IRFH7440TRPBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 增强栅极, 雪崩, 动态dV/dt耐用性能。适用于PWM逆变器拓扑, 电池供电电路, 半桥和全桥拓扑, 电子镇流器应用, 同步整流器应用。
●SP001565996
● 完全表征电容值与雪崩SOA
● 增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.33 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.06 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFH7440TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
