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IRFH7932TR2PBF
来自 AiPCBA

IRFH7932TR2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PowerVDFN-8
PDF文件:IRFH7932TR2PBF 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IRFH7932TR2PBF 数据手册 (10 页)
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IRFH7932TR2PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerVDFN-8
漏源极电阻0.0025 Ω
极性N-Channel
功耗3.1 W
零部件系列IRFH7932
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)24.0 A
输入电容值(Ciss)4270pF @15V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)3.4W (Ta)
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IRFH7932TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRFH7932TR2PBF 数据手册

IRFH7932TR2PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.3 MByte
IRFH7932TR2PBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IRFH7932TR2PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.1 MByte
IRFH7932TR2PBF 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
4 页 / 0.07 MByte

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