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IRFHM830DTR2PBF
来自 AiPCBA

IRFHM830DTR2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:QFN-8
PDF文件:IRFHM830DTR2PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IRFHM830DTR2PBF 数据手册 (9 页)
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IRFHM830DTR2PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装QFN-8
通道数1 Channel
漏源极电阻0.003 Ω
极性N-CH
功耗2.7 W
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)20A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)1797pF @25V(Vds)
下降时间6.7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 37W (Tc)
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IRFHM830DTR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.3 mm
宽度3.3 mm
高度1.05 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRFHM830DTR2PBF 数据手册

IRFHM830DTR2PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.51 MByte
IRFHM830DTR2PBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IRFHM830DTR2PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.1 MByte
IRFHM830DTR2PBF 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.1 MByte

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