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IRFHS8342TRPBF 技术参数、封装参数

IRFHS8342TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRFHS8342TRPBF 数据手册

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IRFHS8342 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFHS8342TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 V 新
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N沟道 30V 19A 8.8A
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N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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