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IRFHS9301TR2PBF
来自 AiPCBA

IRFHS9301TR2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PQFN-6
描述:INFINEON  IRFHS9301TR2PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.5 A, -30 V, 30 mohm, -10 V, -1.8 V
PDF文件:IRFHS9301TR2PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
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IRFHS9301TR2PBF 数据手册 (9 页)
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IRFHS9301TR2PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装PQFN-6
针脚数6 Position
漏源极电阻30 mΩ
极性P-CH
功耗2.1 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)6A
上升时间80 ns
输入电容值(Ciss)580pF @25V(Vds)
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.1W (Ta)
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IRFHS9301TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
长度2 mm
宽度2 mm
高度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRFHS9301TR2PBF 数据手册

IRFHS9301TR2PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.24 MByte
IRFHS9301TR2PBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IRFHS9301TR2PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
4 页 / 0.07 MByte
IRFHS9301TR2PBF 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.06 MByte

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INFINEON  IRFHS9301TR2PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.5 A, -30 V, 30 mohm, -10 V, -1.8 V
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