| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 封装 | TO-220-5 |
| 额定功率 | 18 W |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 5 Position |
| 漏源极电阻 | 0.08 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 18 W |
| 阈值电压 | 4.9 V |
| 输入电容 | 810 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 漏源击穿电压 | 150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.7A |
| 上升时间 | 6.6 ns |
| 热阻 | 65℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 810pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 18 W |
| 下降时间 | 3.1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 18000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.63 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 9.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
数字音频 MOSFET，Infineon
●D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列，可简化高效 D 级放大器设计。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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INFINEON IRFI4019H-117P 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 150 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V
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