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IRFI620GPBF
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IRFI620GPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:IRFI620GPBF 数据手册 (3 页)封装尺寸在3 页
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IRFI620GPBF 数据手册 (3 页)
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IRFI620GPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流4.10 A
封装TO-220
漏源极电阻0.8 Ω
极性N-Channel
功耗30 W
阈值电压4 V
输入电容260pF @25V
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)4.10 A
上升时间22 ns
隔离电压2.50 kV
输入电容值(Ciss)360pF @25V(Vds)
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)30 W
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IRFI620GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.63 mm
高度16.12 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFI620GPBF 数据手册

IRFI620GPBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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