| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.9A |
| 上升时间 | 28 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 800pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 35000 mW |
VISHAY（威世）
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Fairchild（飞兆/仙童）
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFI630GPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
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