Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > IRFI630GPBF Datasheet 文档
IRFI630GPBF
来自 AiPCBA

IRFI630GPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:VISHAY  IRFI630GPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRFI630GPBF 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFI630GPBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFI630GPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.4 Ω
极性N-Channel
功耗32 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)5.90 A
上升时间28 ns
输入电容值(Ciss)800pF @25V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)35 W
查看数据手册 >

IRFI630GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
高度9.8 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IRFI630GPBF 数据手册

IRFI630GPBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 1.5 MByte
IRFI630GPBF 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
20 页 / 2.6 MByte

IRFI630 数据手册

IRFI630 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
IRFI630GPBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFI630GPBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  IRFI630GPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
IRFI630G 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRFI630G 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRFI630B 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
IRFI630GPBF 数据手册
Vishay Siliconix
IRFI630G 数据手册
Vishay Siliconix
IRFI630GPBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRFI630G 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet