| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 40W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 15.49 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
8 页 / 1.75 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
