| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 35000 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 610pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 35W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 500 V 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFI830GPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
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