| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -7.70 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.3 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 42 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | -100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -7.70 A |
| 上升时间 | 52 ns |
| 隔离电压 | 2.50 kV |
| 输入电容值(Ciss) | 860pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 42 W |
| 下降时间 | 39 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 42 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 9.8 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 50 |
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
8 页 / 0.53 MByte
VISHAY（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFI9530GPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 7.7 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.30ohm ，ID = -7.7A ） Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-7.7A)
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