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IRFIB6N60APBF
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IRFIB6N60APBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:VISHAY  IRFIB6N60APBF.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
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IRFIB6N60APBF 数据手册 (9 页)
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IRFIB6N60APBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.75 Ω
极性N-Channel
功耗60 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)5.50 A
输入电容值(Ciss)1400pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)60 W
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IRFIB6N60APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.8 mm
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IRFIB6N60APBF 数据手册

IRFIB6N60APBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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