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IRFIB7N50APBF
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IRFIB7N50APBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:IRFIB7N50APBF 数据手册 (8 页)
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IRFIB7N50APBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流6.60 A
封装TO-220-3
漏源极电阻520 mΩ
极性N-Channel
功耗60 W
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)6.60 A
上升时间35.0 ns
输入电容值(Ciss)1423pF @25V(Vds)
额定功率(Max)60 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)60 W
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IRFIB7N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
高度9.8 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量50
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IRFIB7N50APBF 数据手册

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VISHAY（威世）
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