类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 40W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
输入电容值(Ciss) | 1100pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 1.2ohm ,ID = 3.5A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
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Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFIBC40GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
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