| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 40000 mW |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） = 1.2ohm ，ID = 3.5A ） Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFIBC40GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
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