| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 3 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 35 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.10 A |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 800V ， RDS（ON） = 3.0ohm ，ID = 2.1A ） Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFIBE30GPBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
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