| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 30W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 输入电容值(Ciss) | 490pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 30W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 15.49 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 900 V 1.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFIBF20GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 900V ， RDS（ON） = 8.0ohm ，ID = 1.2A ） Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
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