类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 100 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 37 W |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 14.0 A |
上升时间 | 58 ns |
输入电容值(Ciss) | 640pF @25V(Vds) |
下降时间 | 42 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 37W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
高度 | 9.8 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
8 页 / 1.52 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 1.51 MByte
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFIZ24NPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 14A TO-220FP
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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