类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 42 W |
漏源极电阻 | 0.016 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 42 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 36A |
上升时间 | 78 ns |
输入电容值(Ciss) | 1900pF @25V(Vds) |
下降时间 | 48 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 54W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.016ohm ,ID = 36A ) Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=36A)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFIZ48NPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 42W, TO-220 FULLPAK
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件