| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 1.90 A |
| 封装 | SOT-223 |
| 零部件系列 | IRFL014N |
| 漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.90 A |
| 上升时间 | 7.10 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.7A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.16Ω/Ohm @1.9A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 2.0-4.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.1W Description & Applications| DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performace due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount application. DirectFET Power MOSFET Surface Mount Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Fully Avalanche Rated 描述与应用| 说明 Vishay的第三代功率MOSFET提供 设计师与快速切换的最佳组合， 坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。 SOT-223封装是专为表面安装 使用气相，红外或波峰焊技术。 其独特的包装设计，可以轻松自动 挑选和地方与其他SOT或SOIC封装，但 提高热过往的表现有额外的好处 由于散热放大“选项卡。的功耗 大于1.25 W是可能在一个典型的表面贴装应用。 DirectFET功率MOSFET 表面贴装 先进的工艺技术 超低导通电阻 动态dv/ dt额定值 快速切换
International Rectifier（国际整流器）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFL014NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 55 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL014NTRPBF 场效应管, MOSFET
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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