类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOT-223-3 |
针脚数 | 4 Position |
漏源极电阻 | 0.2 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.1 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.70 A |
上升时间 | 50 ns |
输入电容值(Ciss) | 300pF @25V(Vds) |
下降时间 | 19 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.1 W |
类型 | 描述 |
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包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.7 mm |
宽度 | 3.7 mm |
高度 | 1.8 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Vishay Semiconductor(威世)
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International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFL014NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 55 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL014NTRPBF 场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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