类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 2.70 A |
封装 | SOT-223-3 |
漏源极电阻 | 500 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.00 W |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.70 A |
上升时间 | 50.0 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFL014NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 55 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL014NTRPBF 场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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