| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 额定功率 | 2.8 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0462 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.8 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 340pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.1A |
| 上升时间 | 21 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 340pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 23 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2800 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.075ohm ，ID = 2.8A ） Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFL024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。
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INFINEON IRFL024NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 55 V, 75 mohm, 10 V, 4 V
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFL024ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.0462 ohm, 10 V, 4 V
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