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IRFL110PBF
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IRFL110PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-223
描述:VISHAY  IRFL110PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRFL110PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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IRFL110PBF 数据手册 (9 页)
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IRFL110PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流1.50 A
封装SOT-223
额定功率3.1 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.54 Ω
极性N-Channel
功耗3.1 W
阈值电压4 V
输入电容180pF @25V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)1.50 A
上升时间16 ns
输入电容值(Ciss)180pF @25V(Vds)
下降时间9.4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2 W
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IRFL110PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度6.7 mm
宽度3.7 mm
高度1.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFL110PBF 数据手册

IRFL110PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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