类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 55.0 V |
额定电流 | 3.70 A |
封装 | TO-261-4 |
漏源极电阻 | 0.045 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.1 W |
零部件系列 | IRFL4105 |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 660pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
漏源击穿电压 | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.70 A |
上升时间 | 12.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 660pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 6.7 mm |
高度 | 1.45 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFL4105PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
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